Vervaardigingsproses van anti -reflektiewe film

Tegnologiese proses
Voorsien groeimateriaal en gasbronne: Voorsien groeimateriaal vir die anti -reflektiewe film, soos SIO in sommige uitvoerings, terwyl gasbronne voorsien word wat ooreenstem met die groeimateriaal, soos SIH ₄, N ₂ O, en N ₂ Gasbronkombinasies .
Vorming van anti-refleksielaag: Gebruik dieselfde groeimateriaal om opeenvolgend ten minste twee anti-refleksielae van anti-refleksiefilm op die substraatlaag . te vorm. Die substraatlaag kan SIO-laag, Si-laag en die absorpsielaag in volgorde bevat langs die rigting van die filmgroei . Neem die tweelaags-anti-weerkaatsingslaag (First Anti Reflection Layer (Reflection Layer) word gevorm deur epitaksiale groeiproses (soos plasmaverbeterde chemiese dampafsettingsmetode PECVD) . Die spesifieke stappe is soos volg:
Substraatverwerking: Plaas die substraatlaag op die CVD -afsettingstoerusting {. na halfgeleierskoonmaakproses op die substraatlaag.
Toerustingparameterinstellings: Beheer die boonste elektrode -temperatuur van die CVD -afsettingstoerusting tot 200-300 graad en die onderste elektrodemperatuur tot 250-350 graad .
Groei van die eerste anti -weerkaatsingslaag: Pas die eerste afsettingsparameters van die CVD -afsettoerusting aan, insluitend die eerste volume vloeitempo van SIH ₄, N ₂ O en N ₂, die eerste gasdruk, die eerste RF -krag van die CVD -afsettoerusting, die eerste dun filmneertyd, ens. 10-200 nm en 'n brekingsindeksreeks van 1.4-1.71.
Groei van 'n tweede anti -weerkaatsingslaag: Pas die tweede afsettingsparameters van die CVD -afsettingsapparaat aan, insluitend die tweede volume vloeitempo van SIH ₄, N ₂ O en N ₂, die tweede gasdruk, die tweede RF -krag van die CVD -afsettingsapparaat, die tweede dun filmneertyd, ens. ., of enige kombinasie daarvan, om 'n tweede anti -refleksie op die eerste weerkaatsingslaag te groei, met 'n dikwynreeks van 'n tweede anti -refleksie op die anti -refleksielaag, met 'n dikwynreeks van 'n anti -refleksie -laag op die anti -refleksie laag 10-200 nm en 'n brekingsindeksreeks van 1.4-1.71.

Tegnologiese voordele
Deur dieselfde groeimateriaal te gebruik, kan die anti -refleksiefilm dieselfde anti -refleksie -effek bereik in vergelyking met gestapelde anti -refleksiefilms van verskillende materiale, wat die soorte gasbronne wat gebruik word, verminder, die probleme van die voorbereidingsproses verlaag en die voorbereidingsruimte en werkarea verhoog as gevolg van die berging en gebruik van gasbronne tydens die voorbereidingsproses .}

Vervaardigingsproses van baster SIO ₂/TIO ₂ Anti -reflektiewe film

Tegnologiese proses
Voorbereiding van substraat: Kies deursigtige substrate soos glas, organiese glas, polyimiedfilm, ens. ., en voer die behandeling van vlekverwydering uit om te verseker dat 'n skoon en stofvrye oppervlak ., indien nodig, enkelkantige of dubbelzijdige poleer kan uitgevoer word om ligtransmissie-effektiwiteit te verbeter .
Voorbereiding van filmvoorloper: tetraethoxysilane (teos) en tetrabutyl titanaat (TBT) word bygevoeg tot etanol wat NH ₄ Oh in 'n sekere verhouding bevat, en die reaksie word gehou vir 9-12 ure om 'n deursigtige sol -gelstelsel te verkry .
Bedekking en uitharding: Die voorbereide sol gelstelsel is eweredig bedek op die deursigtige substraat, en spinbedekking, spuit, borsel en ander skemas kan gebruik word . Na bedekking word die baster sio ₂/tio ₂ filmvoorloper in 'n oond geplaas vir die genees en die behandeling van 'n multi-laagstruktuur .}}}}}}}}}}
Sirkulêre deklaag: Herhaal die deklaag- en uithardingsproses totdat die gewenste anti -reflektiewe effek verkry is . verskillende deklaagtye en rye sal die werkverrigting van anti -reflektiewe films beïnvloed, en navorsing en optimalisering is nodig .
Oppervlakbehandeling: Om die duursaamheid en stabiliteit van die anti -reflektiewe film te verhoog, kan 'n laag hidrofiliese en hidrofobiese polimeer op die oppervlak van die anti -reflektiewe film . bedek word

Vervaardigingsproses van infrarooi anti -reflektiewe film
Tegnologiese proses
Die infrarooi anti -refleksiefilm is gebaseer op silikon en bedek met anti -refleksiefilms aan beide kante van die substraat . Die filmstelselstruktuur van die anti -weerkaatsingsfilm is onafhanklik van mekaar as (hl) ^ s, waar H die Si -laag voorstel, l verteenwoordig die SiO -laag, s die periode van die HL -basiese struktuur, en die waarde van 'n integer is Si -laag is langs die substraat, en die SIO -laag is op die oppervlak . geleë. Die deklaagproses word gebruik om die filmlaag aan die substraat te heg, met SIO -filmlaag as die buitenste laag, wat 'n hoë oppervlak het en nie 'n ekstra beskermende laag benodig nie . Daarbenewens het SIO 'n laer refraktiewe indeks verminder, wat die weerspieël kan verminder en die infrarasie kan verhoog en die infrarasie kan verhoog. Oordrag .

Vervaardigingsproses van hoë-temperatuurweerstandige CO ₂ Laser Anti-reflektiewe film
tegnologiese proses
Materiaalvoorsmelting: Afsonderlike voorsmeltbehandeling word uitgevoer op yttrium fluoried, kalsium yttrium fluoried en sink selenied filmmateriaal om onsuiwerhede in die filmmateriaal . te verwyder
Afsettingsfilmlaag: Die eerste Yttrium -fluoriedlaag, Yttrium -kalsiumfluoriedlaag, sink -seleniedlaag en die tweede yttrium -fluoriedlaag word opeenvolgend op 'n sink -selenied -substraatlaag met 'n dikte van 3 ± 0 . 1mm deur vakuum -evaporasie . neergesit. Substraatlaag . Die fisiese dikte -vereistes vir elke laag is soos volg: die fisiese dikte van die eerste yttrium fluoriedlaag is 95-100 nanometers; Die fisiese dikte van die Ytterbium -kalsiumfluoriedlaag is 860-870 nanometers; Die fisiese dikte van die sink seleniedlaag is 240-250 nanometers; Die fisiese dikte van die tweede Yttrium -fluoriedlaag is 95-100 nanometers.
 

Tegnologiese voordele
Die voorbereide anti -weerkaatsingsmembraan het 'n eenvoudige struktuur en 'n uitstekende ontwerp . Die vierlaag -kombinasie het die eienskappe van hoë temperatuurweerstand, hoë transmissie, ferm membraanlaag, komplementêre spanning tussen membraanlae en nie -skeuring van membraanlae . Dit kan voldoen aan die voortdurende werking van komponente onder die hoë temperatuur, en die materiaal wat gebruik word in elke laag, is nie 'n laag nie, wat nie onder die hoë temperatuur is nie, en die materiaal wat in elke laag gebruik word skade aan operateurs en die omgewing . veroorsaak